三星量产6nm工艺 3nm的GAE工艺将于上半年问世

　　【天极网手机频道】由于三星在7nm工艺节点上采用更加激进的EUV技术，7nm工艺量产要比台积电晚一年。在进入10nm节点后，半导体工艺制造越来越困难，但需求却在不断提升，导致台积电、三星通过改进工艺，便推出号称新工艺的产品。

　　目前，采用三星7nm EUV工艺的产品便是高通骁龙765系列芯片，三星随后也加快新工艺的开发。6nm工艺也于日前量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。

　　消息人士透露，三星晶圆制造业务的高管已经确认6nm工艺的芯片出货量产，交付给北美的客户。虽然三星官方没有提及具体信息，但这个北美客户应该是高通，只是目前无法确定是哪款芯片。如果6nm量产成功，那三星进入量产阶段的工艺就有7nm EUV、6nm LPP两种，可以更好地从台积电手中抢市场。

　　三星的6nm工艺实际上也就是7nm工艺的改进版，在7nm EUV基础上应用三星独特的Smart Scaling方案，可以大大缩小芯片面积，带来超低功耗。三星还希望在6nm之后，2020年推出5nm EUV工艺，台积电预计在2020年上半年量产5nm EUV工艺，三星总算上追上台积电的工艺进度，但三星没有公布采用5nm工艺的客户有哪些。

　　三星真正有希望超越台积电的工艺是3nm，作为第一家官宣使用全新GAA晶体管的制造商，使用GAA环绕栅极晶体管，取代FinFET晶体管。三星希望在上半年完成3nm工艺开发，2021年量产3nm工艺。