索尼再现黑科技:将DRAM集成到CMOS传感器
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【天极网手机频道】索尼这几年的手机之路走得并不平坦,不过没有随波逐流,渐渐变得默默无闻。作为黑科技的代名词,索尼在半导体上的造诣可不是一般的强大。可能很多人会觉得索尼没听说在半导体上有哪些重大贡献,但是如果索尼的半导体工厂停工,因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。
在今年的MWC上,索尼除了带来全新的智能手机之外,他们还带来了全新的三层堆叠式CMOS传感器。据索尼官方介绍,三层堆叠式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间加入一层DRAM缓存,这一层高速缓存可以突破传统CMOS在图像处速度的瓶颈,将更多的图像信息存放在缓存当中,然后再由图像处理器处理生成图片。索尼介绍称,三层堆叠式CMOS传感器能够连续读取120张193万像素的静态图片(比之前提高了4倍),或者以960fps/1000fps的帧率拍摄1080p视频(比普通传感器提升了8倍),实现真正的超级慢动作回放。
在CMOS 中加入DRAM缓存,可以提升CMOS的拍照质素和效果,甚至在食品方面都有长足进步,手机拍照、视频功能也更为强大。不过现在依旧处于早期阶段,要真正应用到手机还需要相当长的时间。
MWC(Mobile World Congress)即世界移动通信大会,是由世界移动通信界的三大国际组织之一-GSM协会主办的移动通信领域盛会。2017年MWC将于2月27日-3月2日在西班牙巴塞罗那国际会展中心举办。截至目前,三星、微软、索尼、LG、联想、华为、金立、中兴等众多国内外知名厂商已确定参展,天极网报道团队将带来最新最热门的精彩资讯。
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