公众号三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM
2017-06-15 17:10:08
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【天极网手机频道】据悉，三星已经开始大规模生产256GB的V-NAND内存芯片，这表明它可能在八月份发布的三星Galaxy Note 8中出现。
三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM
三星官方今天正式宣布64层256GB 3-bit V-NAND闪存将扩展至手机和PC等NAND等产品线中。公司预计在今年年底开始，每个月出货的半成以上NAND产品线将会使用第四代V-NAND技术。
三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM
目前，48层256GB 3-bit V-NAND闪存是三星最快的芯片。与48层256GB 3-bit V-NAND闪存相比，即将推出的64层256GB 3-bit V-NAND内存芯片在这几个方面更好。
三星64层V-NAND芯片投产 Note 8载256GB ROM
首先，64层芯片具有1Gbps(千兆比特每秒)的数据传输速度，使其比48层芯片快1.5倍。其次，64层芯片的生产力比48层芯片提高了近30%。第三，由于2.5V输入电压，新芯片具有更高的能源效率。最后，新芯片比48层256GB 3-bit V-NAND闪存更可靠。
这也就意味着，三星Note 8或将搭载256GB机身储存。此外，据称三星Galaxy Note 8还将配备高通最新的骁龙836移动平台。
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