高通骁龙835处理器规格大起底:八核10nm芯片
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【天极网手机频道】日前高通官方在Twitter上放出宣传海报,表示将在CES 2017展会上公布新款骁龙835处理器的更多细节,以及与Lionsgate合作展示骁龙835处理器提供支持的《超凡战队》VR体验。现在,骁龙835处理器规格参数完全浮出水面。
据外媒报道,除了基于三星10nm FinFET工艺打造外,高通骁龙835处理器还将采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计,大小核均为Kryo架构。
同时,高通骁龙835处理器还采用了Adreno 540 GPU,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,也整合了Cat.16基带,同时支持Quick Charge 4.0快速充电技术。
现有消息显示,骁龙835处理器目前已经开始进行生产,并将于2017年上半年正式出货,三星Galaxy S8、LG G6以及小米手机6均将有望搭载高通骁龙835处理器,但目前尚未确定骁龙835处理器的首秀机型。
国际消费类电子产品展览会(简称CES),由美国电子消费品制造商协会主办,每年一月在世界著名拉斯维加斯举办。CES是世界上最大、影响最为广泛的消费类电子技术年展,也是全球最大的消费技术盛会。本次天极网报道团队将率先出发,为大家带来美国西部的科技探索之旅,在CES展会期间,为大家传回第一手资讯。
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