剑指行业第一！台积电公布多项先进制程工艺

  【天极网手机频道】台积电在第26届技术研讨会上确认5nm、6nm已经进入量产阶段，3nm、4nm计划在名年试产、后年量产。台积电另外还对12nm进行全新升级，新制程工艺节点名为N12e，绿色LOGO突出能耗表现极佳。

  台积电5nm工艺规划两代，分别是N5和N5P，其中N5确定引入EUV(极紫外光刻)技术，并已经在大规模量产中。作为改良版的N5P仍在开发中，规划2021年量产，与第一代5nm相比，N5P的功耗将降低10%、性能提升5%，据称面向高性能计算平台进行优化。

  与N7工艺相比，台积电N5工艺降低了30%的功耗、提升约15%的性能，逻辑器件密度是N7的1.8倍。N5工艺有望应用在苹果A14芯片(包括Apple Silicon PC处理器)、华为麒麟9000处理器、高通骁龙875、联发科天玑2000、AMD第四代EPYC霄龙处理器上等产品上应用。

  在公布5nm和6nm工艺之余，台积电还带来更多关于4nm、3nm、4nm的消息。3nm是5nm工艺的自然迭代，4nm理论上是5nm的终极改良版。技术指标方面与5nm相比，3nm可降低25~30%的功耗、提升10~15%性能。采用台积电N5工艺的客户能非常平稳地过渡到N4，能答复降低流片成本、加快流片速度。

  4nm(N4)定于2020年晚些时候风险试产，2022年量产;3nm(N3)同样计划在2020年晚些时候风险试产，计划在2022年大规模量产。

  台积电12nm的N12e将取代22ULL，带来76%的逻辑密度提升，给定功耗下49%的频率提升、给定性能下55%的功耗减少以及SRAM尺寸50%的缩减。支持的Vdd电压能够做到0.4V，可完美适配IoT设备。台积电将N12e规划到面向5G处理器、基带、无线耳机、智能手表、VR、可穿戴设备、入门级SoC等场景领域服务。

  台积电不是唯一看向3nm的晶圆制造商，三星想在2021年把3nm推向市场。而且三星将在3nm工艺上改用Gate-All-Around(GAA，环绕栅极晶体管)，号称降低45%核心面积、降低50%功耗和提升35%性能。