三星宣布量产eMRAM存储器:年底流片1Gb芯片
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【天极网手机频道】在2018年,DRAM内存和NAND闪存都出现了降价的情况,其中NAND闪存更是以50%的速度暴跌,DRAM虽然u 度没那么大,但是加持也持续松动下滑。但DRAM内存和NAND闪存更坏的消息已经到来。
英特尔在不久前宣布准备大规模量产MRAM(磁阻式随机访问内存),MRAM是一种既拥有RAM内存读写速度、能够与NAND闪存一样具有非易失性的新型存储介质,断电不会出现丢失数据,而写入速度是闪存的数千倍,不仅可以用来当作内存,也能作为硬盘使用,这种新型存储产品有望让电脑实现“秒开”。
三星电子近日又宣布将商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),并计划年内流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。新eMRAM可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。由于eMRAM不需要在写入数据前进行擦除循环,所以eMRAM写入速度大约是eFlash的一千倍,而且电压、功耗低得多,待机状态下完全不耗电。
三星eMRAM采用“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)工艺,28nm FD-SOI工艺制造的eMRAM可以带来更低的能耗和更高的速度。采用28nm工艺量产成功eMRAM,进一步证明其已克服eMRAM量产的技术难题,加上eMRAM对制造工艺要求相对较低,所以良品率也更优秀,可以更好的控制成本,产品价格不会太高。
三星同时指出,基于放电存储操作的eFlash(嵌入式闪存)已经越来越难进步,从SLC、MLC、TLC到QLC、OLC密度越来越高,但是产品寿命却变得越来越短,厂商不得不通过主控和算法进行复杂的补偿,确保产品的稳定性。但eMRAM则是eFlash产品的极佳替代者,因为磁阻存储的扩展性非常好,而且在非易失性、随机访问、寿命耐久性等方面同样远胜传统RAM产品。
另外,eMRAM只需增加少数几个层就能够轻松的嵌入工艺后端,所以对前端工艺要求非常低,能够轻松利用现有的工艺生产线进行制造,包括Bulk、Fin、FD-SOI晶体管。
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