公众号三星修改半导体工艺线路图：3nm将放弃FinFET工艺
2019-10-20 15:46:11
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【天极网手机频道】虽然台积电、三星的7nm工艺已经上马，英特尔的10nm处理器也在6月开始出货，但晶圆巨头们的制程之战却越发胶着。
三星在日前的一场技术交流活动中重新修订未来节点工艺的细节。三星称EUV之后，将在3nm工艺节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺，预计会在5nm节点后取代FinFET结构。
相较于年初的路线图，三星6LPP只是简单地引入SDB，从而让晶体管密度提升0.18倍。另一个改变是删除4LPP节点，在路线图上只留下4LPE。三星还将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。
实际上，三星手中的5nm也仅仅是7nm LPP改良版，可视为第二代导入EUV工艺的产品。7nm LPP向后有三个迭代版本，分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。
关于工艺核心指标，5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM，但性能增强11%，UHD下的密度会接近130 MTr/mm²，超过英特尔的10nm工艺和台积电的7nm工艺。在2021年推出的4nm LPE上，三星将晶体管密度做到137 MTr/mm²，接近台积电5nm。
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