三星宣布量产512GB容量的eUFS 3.1闪存
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【天极网手机频道】三星电子在3月17日宣布开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。
与上一代eUFS 3.0(512GB)闪存产品相比,新款的写速提升200%达到1200MB/s,比用于PC的传统SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存储卡(90MB/s),如此高速的读写速度可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取速度100K IOPS,随机写入速度70K IOPS。这批新eUFS 3.1闪存还提供128GB和256GB容量。
另外,三星还透露,其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND(9x层),韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存(1xx层)芯片的量产,以满足日益增长的市场需求。
此前,西部数据、铠侠(原东芝存储)也介绍UFS 3.1闪存产品,但仅出样、没有达到量产程度。
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