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三星7nm芯片下半年投产,3nm工艺公布,这次能领先Intel多久呢?

Yesky天极新闻 2018. 05. 24 作者:August 责编:熊嫒
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  【天极网手机频道】随着10nm工艺的普及,英特尔、台积电、三星纷纷开始布局全新的7nm工艺,并相继公布了投产时间。可以说,7nm工艺已成为2018年的关键词,据称苹果A12、高通骁龙855、华为麒麟980等处理器均将采用7nm工艺打造。近日,三星再一次强调7nm LPP工艺将会在2018年下半年投入生产,同时更是出乎意料的直接公布了旗下5nm、4nm以及3nm工艺。这次,三星再一次把曾经的领导者Intel远远甩在了身后。

三星7nm芯片下半年投产,3nm工艺公布,这次能领先Intel多久呢?
三星芯片

  据外媒报道,Samsung Foundry Forum(SFF 2018 USA)论坛上,三星表示,7nm LPP工艺将首次应用EUV极紫外光刻技术(更先进、但难度更高),相比10nm工艺,它的体积更小、功率更低,预计今年下半年投产。

  不过需要注意的是,早前有消息称华为麒麟980芯片将采用7nm工艺生产、预计下半年亮相,而苹果A12早已开始试产、还采用了台积电代工的7nm芯片。也就是说,他们均有可能比三星更早进入市场。那么,今年年底之前,会有基于三星7nm工艺芯片的手机亮相吗,会是下半年的三星Galaxy Note 9(Exynos 9820芯片)吗?还是说,得等到明年的三星Galaxy S10呢?

  同时,关键IP(Key IP)正在研发中,预计2019年上半年实现交付。这就意味着,已有客户向三星下订单了。

三星7nm芯片下半年投产,3nm工艺公布,这次能领先Intel多久呢?

  另外,三星还宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺。其中,相较于7nm LPP,5nm LPE工艺将继续创新改进,进一步缩小芯片核心面积,带来更低的功耗;而4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术,进一步压缩芯片面积,提高性能,并快速达到高良率量产。至于3nm GAAE/GAAP,则将采用全新的GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,也就是MBCFET(多桥通道场效应管)技术。相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计,环绕栅极技术将重新设计晶体管底层结构,并克服当前技术的物理、性能极限,从而增强栅极控制、性能也将大大提升。

  如果三星能够保证生产进度,按照目前的规划,三星将在2019年生产5nm芯片,2020年生产4nm芯片,2021年生产3nm芯片。

作者:August责任编辑:熊嫒)
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