台积电将于4月份揭秘3nm制程工艺详情
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【天极网手机频道】台积电在上周的财报会上宣布,2020年的资本开支是150到160亿美元,其中80%将投向先进产能扩增,包括7nm、5nm及3nm。虽然台积电在提到了3nm工艺,但具体的情况还需要等到4月的发布会,才会公开3nm工艺的详情。
台积电在2019年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂,2020年会正式开工。台积电在3nm节点上投入大量资金。但技术细节一直没有透露,台积电是否会与三星一样选择GAA晶体管,还是会继续改进FinFET晶体管目前尚无定论,这两种技术路线会影响未来很多高端芯片的选择。
台积电3nm工艺技术最终选择什么路线,对半导体行业来说很重要,目前进入3nm节点的就剩下台积电和三星,英特尔一直没有太多相关消息。
竞争对手的三星在2019年抢先公布3nm工艺,明确放弃FinFET晶体管,转向GAA环绕栅极晶体管技术。三星将3nm工艺分为3GAE、3GAP,后者的性能更好,首发第一代GAA晶体管工艺是3GAE工艺。在同年的日本SFF会议上,三星公布3nm工艺的具体指标,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%、功耗降低50%、性能提升35%。
根据官方的说法,三星通过使用纳米片设备制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。而且MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。
三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国,由于在7nm、5nm节点上都要落后台积电,所以三星押注3nm节点,希望在3nm节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂,因此三星对3GAE工艺寄予厚望,最快会在2021年就要量产。
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