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西部数据推出新款iNAND嵌入式闪存盘 剑指下一代智能手机

天极网手机频道 2017. 12. 07 作者:渔民诺克提斯 责编:陈皓天
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  【天极网手机频道】12月7日,西部数据公司在北京召开新品发布会,发布了两款新的嵌入式闪存盘 (EFD) iNAND 8521和iNAND 7550,分别面向高端和中低端智能手机等移动设备,以应对移动设备对存储性能和容量日渐高涨的需求。

西部数据推出新款iNAND嵌入式闪存盘 剑指下一代智能手机
西部数据公司 嵌入式及集成解决方案(EIS) 产品市场管理总监-包继红女士

  西数此前已经有了类似的嵌入式闪存盘iNAND 7232,其使用1Znm TLC闪存并支持第三代SmartSLC缓存加速技术,容量32/64/128GB,基于eMMC 5.1 HS400标准接口,持续读写速度最高可达290MB/s、160MB/s,主要面向高端智能手机等移动设备,曾得到了全球主流智能手机和平板电脑制造商的信任。

西部数据推出新款iNAND嵌入式闪存盘 剑指下一代智能手机

  全新发布的iNAND 8521嵌入式闪存盘主要面向高端智能手机,专为需要使用大量数据的用户设计,其采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC 技术。相较上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘,这次的iNAND 8521提供了两倍的顺序写入速度和高达10倍的随机写入速度。通过快速并智能响应用户的应用性能需求,它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏,并且快速下载高清电影。此外,当服务提供商向5G网络演进时,iNAND 8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。

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  今日发布的另一款新品iNAND 7550嵌入式闪存盘则主要面向中低端智能手机,可以帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备,以满足消费者不断增长的存储需求,同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND 7550嵌入式闪存盘基于e.MMC 5.1规范,是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案,可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能3,更有助于同时加快自身和应用启动的速度。

iNAND%207550%20256GB

  在会上,来自Counterpoint Research的智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生表示,在未来的一段时间内,智能手机对储存的需求将有极大提升,尤其是面对将到来的5G时代,千兆级的移动网络连接速度和4K级别超高清视频流服务等将对移动设备的存储性能带来更大挑战。

西部数据推出新款iNAND嵌入式闪存盘 剑指下一代智能手机
Counterpoint Research智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生

  西数表示,今日发布的 iNAND 8521和iNAND 7550这两款新品正是为了帮助移动设备制造商可以充分应对这一挑战而诞生的。得益于西数的64层3D NAND技术和先进接口技术,它们可以为以数据为中心的大量应用加速,例如增强现实(AR)、超高清视频流服务和丰富的社交媒体体验,当然还包括新兴的终端人工智能 (AI) 和物联网 (IoT)体验。

  目前西数已开始向OEM提供容量为256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550闪存盘的样品。

作者:渔民诺克提斯责任编辑:陈皓天)
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