黑科技来袭 高通QC4.0充电5分钟通话5小时
- +1 你赞过了
【天极网手机频道】高通官方最近宣布了自家的黑科技:骁龙QC4.0。融入了Dual Charge技术的骁龙QC4.0充电速度能够比3.0提升20%,这意味着什么?意味着充电5分钟,通话5小时!
这款黑科技产品一经官方正式宣布,小编就不明觉厉啊,这骁龙835一定是要取代骁龙821/820的节奏啊,顺便把VOOC闪充长久以来放松的弦紧一紧。这款骁龙835将要在2017年年初发布,支持Quick Charge 4.0快充技术,高通的产品管理高级副总裁表示,QC4.0大约能够在15分钟或者更短的时间内,冲入高达50%的电量。而这款支持QC4.0的骁龙835的制程,也提升到了10nm,选用三星工艺打造。这样说来,会不会第一款搭载骁龙835的手机就是三星的产品?
相较于VIVO大占快充市场的“充电5分钟,通话两小时”,这句口号估计就不能这么嘹亮了。VOOC闪充技术占领市场已经有一段时间了,没有别家公司的刺激,真的已经产生了可怕的疲软心态。没有居安思危的思想,是很容易就被超过的,毕竟这是一个科技产品更迭换代十分迅速的年代,VOOC更应该研制发布自家的新技术了。
值得一提的是QC4.0加入了最佳电压智能协商电源管理算法(INOV),在既定的散热条件下自主优化充电,选择最佳的电力传输水平。并且QC4.0还能够基于自身准确地测量电流、电压和温度,从而更好地保护电池和手机,有效避免充电过度,并能在每个充电周期调节电流。
为了配合QC 4.0,高通还推出了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高达95%的峰值效率和先进的快充特性(例如电池差分感知),可经由任何5V USB Type-C或高压电源通过高度不到0.8毫米的充电解决方案组合,为超薄的移动终端提供最快的电池充电。SMB1380/1预计将于2016年底之前开始提供。
另外,三星方面于今年10月宣布最新第三代10nm工艺制程产品将会批量生产,从技术层面看,元件的体积越小,提升运行速度的同时,则功耗越少。10nm工艺制程产品目前有望在明年发布的三星Galaxy S8旗舰手机中首发。高通的QC4.0搭配10mn制程,性能绝对有质的飞跃。
高通新的QC4.0快充技术小编相当的看好,最新的三星10nm制造工艺也是行业内一大亮点,这样的搭配还是很值得大家期待的,毕竟这种新快充的黑科技一来,高通骁龙或重上八核,明年就会有一场大战了。
最新资讯
热门视频
新品评测