半导体技术详解:CPU与DRAM芯片内部结构

闪存芯片技术

  闪存芯片按照类型分为两种，DRAM内存颗粒和Nand闪存。RAM这个在手机里经常出现的字眼其实在PC也是不可或缺的重要零部件，RAM的中文意译是随机存储内存，它的作用是暂时存取CPU计算过程中的数据。ROM同样经常出现在我们的眼前，它是手机必不可少的功能，笔者第一次接触的Nand闪存应该是512MB的TF手机存储卡，在那个时候并没有Nand这个概念，仅仅知道它叫内存卡，可以用来存储大量歌曲、图片等功能。

 DRAM芯片

  PC市场的内存颗粒主要都是是DDR3和DDR4，移动端采用的就有所不同，LPDDR3和 LPDDR4两种，作为DRAM芯片，它们的工作原理手机完全一样的，只是封装方式稍有不同，且半导体的堆叠层数有所区分。因为手机一般的单颗容量都要达到2GB以上，一般内存的单颗容量都是512MB，这就需要在堆叠层数上进行加强。Nand闪存按照工作方式分为SLC、MLC、TLC、QLC四种，还有再细分的类型也在这些的基础上进行的。QLC作为一个非常陌生的架构，它主要是4bit/Cell，支持16充电值，但是执行效率低、寿命短，应用会受到很大限制;TLC颗粒为3bit/Cell，充电值为8个，这类芯片最开始主要应用在U盘或者存储卡上，近几年在技术上的不断成熟让它寿命得到加强，渐渐的走向固态硬盘市场;MLC颗粒则以其相对优秀的读写速度和擦写次数成为固态硬盘市场上的主流，2bit/Cell和4个充电值拥有比TLC更快的效率，以及十倍以上的寿命;SLC颗粒作为目前Nand闪存的最优秀这，1bit/Cell在读写速度和寿命上都达到最高，可是成本为MLC颗粒的三倍也让它的价格高企，一般应用在专业级上，一些高端U盘也会有产品布局。手机一般采用的MLC和TLC颗粒，因为擦写次数少，而且手机的一般寿命是两到三年，基本上不会用到Nand大限将至之时。

 固态硬盘

  全球的半导体企业也就那么多，能独立生产DRAM颗粒、闪存芯片的主要有三星、美光、东芝、海力士、尔必达(破产被美光收购)、OCZ(饥饿鲨)，国内的南亚易胜可能会比较陌生，但是他是极少数自主生产内存的厂家。

  国内这几年都在大力发展本土半导体工业，我们相信很快就能有更多国产自主的芯片。改变国内半导体一直受制于国外技术的不良影响。